适用于闪存器件的高密度钴纳米点的制备方法

摘要

本发明属于半导体存储器制造技术领域，它具体为一种适用于闪存器件的高密度钴纳米点的制备方法。该方法包括在介质薄膜上通过磁控溅射反应腔溅射金属钴薄膜，然后快速退火形成钴纳米点。本方法与现行CMOS工艺兼容。其中介质薄膜为SiO2、Al2O3、Nb2O5或NbxAlyOz，钴纳米点的高度为4～8纳米范围内，密度在1.3×1011cm-2左右。

主权项

一种高密度钴纳米点的制备方法，所述钴纳米点制作在介质薄膜上，所述介质薄膜为SiO2、Al2O3、Nb2O5或NbxAlyOz，其特征在于具体步骤如下：(1)将覆盖有上述介质薄膜的样品放入磁控溅射反应腔溅射金属钴薄膜；腔内真空度在9×10-4～1×10-5帕，钴靶功率为60～80瓦，衬底温度控制在27～350℃内，衬底转速设置在3～12rmp，钴膜初始厚度为1.5～5.5nm，氩气流量限定在20～40sccm；(2)对完成步骤(2)的样品进行快速热退火，来形成钴纳米点；退火气氛为氮气，先在150～200℃维持2～5分钟，然后升温到500～700℃，维持10～30秒；升温速率为50～100℃/s。