利用晶片结合和电化学蚀刻停止的小型表压传感器

摘要

本发明涉及一种表压传感器装置及其制作方法。对约束晶片进行部分蚀刻以设置膜片尺寸，然后结合到一上部晶片。上部晶片的厚度可以是期望的膜片厚度，或者在结合后减薄为期望厚度。上部晶片和约束晶片的结合使得能够进行电化学蚀刻停止。这允许通过约束晶片的背侧来蚀刻介质通道，并且当蚀刻到达膜片时产生电信号。该工艺防止膜片过蚀刻。与通过从背侧蚀刻设置膜片尺寸的情况下的管芯相比，本发明允许管芯的尺寸更小。

主权项

一种构造压力传感器装置的方法，包括：蚀刻约束晶片以形成空腔，其中所述空腔具有壁和通向所述约束晶片的至少一个表面的开口；通过将上部晶片结合到所述约束晶片使得所述上部晶片的一部分覆盖所述约束晶片的所述空腔的所述开口，形成复合结构；和反向蚀刻所述复合结构以在所述复合结构中形成介质通道，其中所述介质通道向所述复合结构的表面开口以提供所述压力传感器装置。