平面基板的处理装置

摘要

本发明涉及一种用于处理平面基板的反应器，其具有真空室(11)、处理腔(9)，设置第一电极(5)和对电极(7)以用于产生离子体和形成该处理腔的两对置的壁，以及将气态材料引入(19，23，25)处理腔和从处理腔排出的装置，其中该基板(3)可由对电极接受。还具有对真空室的加料和排料口和用于改变电极间相对间距的装置(41，43)，其中第一个较大的间距是在装入处理腔或从处理腔卸出时设定，第二个较小的间距在实施处理时设定，和/或设置与对电极相关联的用于接受基板的装置，该装置如此构成，即该基板至少在进行处理时，以其待处理表面朝下而相对垂直线成0°-90°之间的某一角度α配置，该角α的值优选为1°、3°、5°、7°、9°、11°、13°、15°、17°、20°、25°、30°、40°、45°。

主权项

一种用于处理平面基板、特别是用涂层材料涂敷平面基板的反应器，其具有：-真空室，其中配置有处理腔，该处理腔中设置第一电极和对电极以用于产生处理待处理的表面的等离子体和形成该处理腔的两对置的壁，-引入装置和排出装置，用于将气态材料特别是涂层材料和/或净化材料引入处理腔和/或从处理腔排出，-至少一块基板可通过对电极被接纳在该对电极朝向所述第一电极的正面上，-该真空室的加料和排料口优选具有封密装置，其特征在于，设置用于改变电极间相对间距的装置，其中第一个较大的间距是在该至少一块基板装入或卸出处理腔时设定，第二个较小的间距在对该至少一块基板实施处理时设定，和/或与该对电极相关联的用于接受基板的装置，该装置如此构成，即该至少一块基板至少在进行处理时特别是涂层时，优选也在装入或卸出处理腔时，以其待处理表面朝下而相对垂直线成0°-90°之间的某一角度α配置，该角α的值优选为1°、3°、5°、7°、9°、11°、13°、15°、17°、20°、25°、30°、40°、45°。