| 发明名称 | 发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种发光元件，所述发光元件包括：Ga2O3基板；n型AlzGa1-zN包覆层，形成在所述Ga2O3基板的第一表面上，其中0≤z＜1；InmGa1-mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型AlpGa1-pN包覆层，形成在所述InGaN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述Ga2O3基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型AlpGa1-pN包覆层上。 | ||
| 申请公布号 | CN101320780B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810128878.8 | 申请日期 | 2003.05.30 |
| 申请人 | 株式会社光波 | 发明人 | 一之濑升;岛村清史;金子由基夫;恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉;青木和夫 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B15/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 一种发光元件，包括：β-Ga2O3单晶基板；n型AlzGa1-zN包覆层，形成在所述β-Ga2O3单晶基板的第一表面上，其中0≤z＜1；InmGa1-mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型AlpGa1-pN包覆层，形成在所述InmGa1-mN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述β-Ga2O3单晶基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型AlpGa1-pN包覆层上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||