发明名称 |
分散后自组装的金纳米棒阵列电极制备方法 |
摘要 |
分散后自组装的金纳米棒阵列电极制备方法,本发明涉及一种纳米棒阵列电极的制备方法,具体涉及模板法生长的金纳米棒经分散后自组装的纳米棒阵列电极的制备方法。它克服了已有技术电极表面积并未得到充分利用的缺陷。本发明通过下述步骤实现:溶解掉模板法生长的金纳米棒的模板,使金纳米棒可自由操纵;用分散剂和超声处理,将金纳米棒在溶剂中充分分散,避免团聚,形成单根金纳米棒的分散溶液;通过调控分散液中纳米棒的浓度,实现以可控间距的方式将金纳米棒自组装到基底电极表面上。这样形成的金纳米棒阵列电极,可以充分利用金纳米棒丰富的表面积,只需组装极少量的金纳米棒即可实现超高的扩散流量和法拉第电流,具有超高的电催化活性。 |
申请公布号 |
CN101165213B |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200710072631.4 |
申请日期 |
2007.08.08 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
贾铮;刘静;沈炎宾 |
分类号 |
C25B11/00(2006.01)I;H01M4/02(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I |
主分类号 |
C25B11/00(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
牟永林 |
主权项 |
分散后自组装的金纳米棒阵列电极制备方法,其特征在于它通过下述步骤实现:一、溶解掉模板法生长的金纳米棒的模板,使金纳米棒可以自由操纵;二、用分散剂和超声处理,将金纳米棒在溶剂中充分分散,避免团聚,形成单根金纳米棒的分散溶液;三、通过调控分散液中金纳米棒的浓度,实现以可控间距的方式将金纳米棒自组装到基底电极表面上,将多晶金盘电极抛光,超声清洗后,浸入20mmol·L-1的L-半胱氨酸溶液中6h,清洗后浸入到金纳米棒分散溶液中10h,从而将金纳米棒组装到金盘电极上。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |