一种半导体器件及其制造方法、蚀刻阻挡层的形成方法

摘要

一种蚀刻阻挡层的形成方法，包括在衬底上形成蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层为氮化硅，所述氮化硅的应力范围为-1600至-2000MPa，所述氮化硅的应力为压应力。本发明还提供了一种半导体器件结构及其制造方法。本发明通过采用高应力的氮化硅作为蚀刻阻挡层，由于氮化硅具有较高的致密性，同时高应力的氮化硅所具有的压应力可以中和低介电常数的介电层的张应力，改变了介电层与介电层、Cu与介电层之间的界面特性，达到提高层间介电层的击穿电压和器件可靠性的目的。

主权项

一种蚀刻阻挡层的形成方法，在衬底上形成蚀刻阻挡层，其特征在于，所述蚀刻阻挡层包括氮化硅以及氮化硅上的掺氮的SiC，所述蚀刻阻挡层的应力范围为-1600至-2000MPa，所述应力为压应力，所述氮化硅采用SiH4和NH3作为反应气体，N2作为载流体，所述SiH4流量范围为32至38sccm，NH3流量为82至88sccm，N2流量为9200至9800sccm。