| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括半导体衬底；和在半导体衬底上形成的梯形电阻器。该梯形电阻器包括彼此平行设置地多个细长的电阻器部分，在电阳器部分的纵向方向上以预定间隔连接电阻器部分的多个连接部分，和用以在各个连接部分处提取电压的多个电压提取部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1971914B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200610171952.5 | 申请日期 | 2006.10.13 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 清水泰秀;村山茂满;工藤孝平;矢津田宏智 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H03M1/46(2006.01)I;H03M1/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 宋鹤 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；和在半导体衬底上形成的梯形电阻器，其中该梯形电阻器包括彼此平行设置的多个细长电阻器部分，在电阻器部分的纵向方向上以预定间隔连接电阻器部分的多个连接部分，和用以在各个连接部分处提取电压的多个电压提取部分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||