| 发明名称 | 提高铝铜电迁移性能的金属层淀积结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高铝铜电迁移性能的金属层淀积结构及其制作方法。其结构顺序为，第一层钛，第二层氮化钛，第三层铝铜，第四层钛，第五层氮化钛；在第二层氮化钛和第三层铝铜之间有一层钛铝合金。本发明可以有效提高提高铝铜布线金属抗电迁移能力。 | ||
| 申请公布号 | CN101740546A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810043943.7 | 申请日期 | 2008.11.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 季伟;季芝慧 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种提高铝铜电迁移性能的金属层淀积结构，其结构顺序为，第一层钛，第二层氮化钛，第三层铝铜，第四层钛，第五层氮化钛；其特征在于，在第二层氮化钛和第三层铝铜之间有一层钛铝合金。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||