| 发明名称 | 利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法，包括如下步骤：(1)多晶硅栅淀积；(2)氮化膜阻挡层淀积；(3)光刻定义多晶硅栅图形；(4)刻蚀形成多晶硅栅；(5)湿法清洗去除刻蚀过程中生成的聚合物及光刻胶剥离；(6)多晶硅栅侧壁氧化；通过在步骤(6)制程中添加原位低温氧化步骤，该方法可以在较低的氧化温度下在多晶硅栅外壁上生成一层热氧化层作为磷外扩散的阻挡层，由此来抑制多晶硅中磷的外扩散现象，从而防止短沟道器件阈值电压产生波动的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101740364A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810043953.0 | 申请日期 | 2008.11.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 杨欣;孙勤 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 一种利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法，包括如下步骤：(1)多晶硅栅淀积；(2)氮化膜阻挡层淀积；(3)光刻定义多晶硅栅图形；(4)刻蚀形成多晶硅栅；(5)湿法清洗去除刻蚀过程中生成的聚合物及光刻胶剥离；(6)多晶硅栅侧壁氧化；其特征在于：在步骤(6)中，首先进行原位低温氧化，在多晶硅栅侧壁上生成一层热氧化层作为磷外扩散的阻挡层，然后再升高温度在多晶硅栅侧壁生长氧化膜。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||