| 发明名称 | 化学机械研磨及通孔形成方法 | ||
| 摘要 | 一种化学机械研磨及通孔形成方法，所述化学机械研磨的方法，包括：使用第一研磨浆研磨水平方向上同时具有第一研磨介质和第二研磨介质的半导体结构，以减薄第一研磨介质；在第二研磨介质达到塌陷高度时，停止研磨第一研磨介质，转而使用第二研磨浆研磨第二研磨介质至与第一研磨介质齐平；若第一研磨介质的减薄厚度未达到预设要求，则重复上述步骤。所述化学机械研磨的方法使得研磨后的表面比较平整。 | ||
| 申请公布号 | CN101740330A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810202841.5 | 申请日期 | 2008.11.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 蒋莉;邵颖;黎铭琦 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨的方法，其特征在于，包括：使用第一研磨浆研磨水平方向上同时具有第一研磨介质和第二研磨介质的半导体结构，以减薄第一研磨介质；在第二研磨介质达到塌陷高度时，停止研磨第一研磨介质，转而使用第二研磨浆研磨第二研磨介质至与第一研磨介质齐平；若第一研磨介质的减薄厚度未达到预设要求，则重复上述步骤。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||