发明名称 半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机
摘要 本发明公开了一种半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机,其清洗腔内有磁动旋转装置。二氧化碳超临界流体具有零表面张力、低粘滞度、强扩散能力和溶解能力,可以对硅片上的微细结构进行有效清洗和超临界干燥。该半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机的主要结构是清洗腔,在设计中通过加入磁旋转结构,配合喷嘴,可以达到理想的清洗效果。该设备的开发和研制,可以大大推动半导体清洗技术的发展。
申请公布号 CN101740337A 申请公布日期 2010.06.16
申请号 CN200810226688.X 申请日期 2008.11.19
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 惠瑜;景玉鹏
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机,其特征在于,包括:支架(10);固定于支架(10)上的清洗室(1)和分离室(3),且清洗室(1)与分离室(3)在底部通过密封的二氧化碳出气管(12)连通;固定于清洗室(1)底部的磁旋转装置(6);固定于磁旋转装置(6)之上的硅片支架(2);向清洗室(1)中通入二氧化碳的喷嘴(16),二氧化碳通过喷嘴(16)直接喷射到硅片支架(2)上的硅片上;与喷嘴(16)连通的助溶剂和清洗剂存储腔(4);对清洗室(1)进行加热或制冷的温度控制系统(7),该温度控制系统(7)通过缠绕设置于清洗室(1)外壁的加热和制冷盘管(5)对清洗室(1)进行加热或制冷;通过密封管道和喷嘴(16)与清洗室(1)连通的二氧化碳循环系统(8),该二氧化碳循环系统(8)同时与分离室(3)通过密封管道连通;以及与分离室(3)底部连通的分离室废液排管(9)。
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