导模法生长3″×9″片状氧化铝单晶体

摘要

本发明涉及采用一次成型的导模法晶体生长技术生长3″×9″片状氧化铝单晶材料的工艺及方法。确立使用Φ100-Φ120mm大尺寸钼质坩埚，设计和建立高效加热系统、高效保温系统、温场调节系统，确立晶体生长高温区横向温度场的温差范围在±3℃以内、在模具端面之上15mm范围之内纵向温度梯度5-6℃/mm的工艺条件；解决大尺寸氧化铝单晶生长过程中的均匀化料难、温度场控制难、晶体生长工艺复杂等难点问题，生长出高质量大尺寸3″×9″片状氧化铝单晶材料。

主权项

本发明涉及Ф100-Ф120mm大尺寸钼质坩埚；高质量锻压钼材加工特定构型的晶体生长模具。