| 发明名称 | 图像传感器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种图像传感器的制造方法包括在半导体衬底上形成包括金属线的电路，在该金属线上形成光电二极管，以及在该光电二极管中形成接触塞，使得该接触塞被连接至该金属线。形成该接触塞的步骤包括执行第一蚀刻工艺，以蚀刻该光电二极管的一部分，并且执行第二蚀刻工艺，以使用在刻蚀中产生的副产品暴露该金属线的一部分，从而在该光电二极管中形成用于该接触塞的通孔。 | ||
| 申请公布号 | CN101740594A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200910221298.8 | 申请日期 | 2009.11.11 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 尹基准 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;邢雪红 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在半导体衬底上形成包括金属线的电路；在该金属线上形成光电二极管；以及在该光电二极管中形成接触塞，使得该接触塞被连接至该金属线，其中形成该接触塞的步骤包括：执行第一蚀刻工艺以蚀刻该光电二极管的一部分；以及执行第二蚀刻工艺以暴露该金属线的一部分，使用在该第二蚀刻工艺中产生的副产品以在该光电二极管中形成用于该接触塞的通孔。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||