| 发明名称 | 可除去聚合物阻挡层的抛光浆液 | ||
| 摘要 | 一种用来对具有铜互连的半导体基片进行化学机械抛光的水性浆液。所述水性浆液包含0.01-25重量％的氧化剂、0.1-50重量％的磨粒、0.001-3重量％的聚乙烯吡咯烷酮、0.01-10重量％的用来减少对铜互连的静态蚀刻的抑制剂、0.001-5重量％的用来增大铜互连的去除速率的含磷化合物、0.001-10重量％的在抛光过程中形成的络合剂和余量的水；所述水性浆液的pH值至少等于8。 | ||
| 申请公布号 | CN1927975B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200610151796.6 | 申请日期 | 2006.09.07 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 | 发明人 | T·M·托马斯;叶倩萩 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I;C09G1/16(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 一种用来对具有铜互连的半导体基片进行化学机械抛光，以从所述半导体基片除去阻挡层材料的水性浆液，所述浆液包含0.01-25重量％的氧化剂、0.1-50重量％的磨粒、0.001-3重量％的聚乙烯吡咯烷酮、0.01-10重量％的用来减少对铜互连的静态蚀刻的抑制剂、0.001-5重量％的用来增大铜互连的去除速率的选自磷酸铵、磷酸钾和磷酸氢二钾中的至少一种的磷酸盐化合物、0.0001-0.1重量％的用来增大铜互连的去除速率的氯化铵、0.001-10重量％的络合剂和余量的水；所述水性浆液的pH值至少等于8。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||