| 发明名称 | 用于制造衬底上的SiN:H层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于制造衬底上的SiN:H层的方法，该SiN:H层将光转换成电压，其中对包括硅的靶进行溅射，并且至少一个反应气体引入到靶和衬底之间的空间中，其特征在于：靶以管状靶的形式实现，并由Al的含量为2至50wt.％的Si基合金组成。 | ||
| 申请公布号 | CN101200795B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200710167397.3 | 申请日期 | 2007.11.26 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 罗兰·特拉斯里;安德里亚斯·绍尔;斯蒂芬·威尔德 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 赵飞 |
| 主权项 | 一种在衬底上制造SiN:H层的方法，所述SiN:H层将光转换成电压，其中，对包括硅的靶进行溅射，并且将至少一个反应气体引入到靶和衬底之间的空间中，其特征在于：所述靶以管状靶的形式实现，并包括Al的含量为2至50wt.％的Si基合金。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||