| 发明名称 | 半导体器件中形成金属图案的方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体器件中形成金属图案的方法，包括：在包括金属层的半成品衬底上形成蚀刻停止层；在该蚀刻停止层上形成硬掩模；蚀刻该硬掩模以形成暴露该蚀刻停止层的硬掩模图案；以及使用该硬掩模图案蚀刻该蚀刻停止层与金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN101211783B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200710135745.9 | 申请日期 | 2007.08.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 吴相录;刘载善 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种在半导体器件中形成金属图案的方法，包括：在包括金属层以及在所述金属层下方的导电层的半成品衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成硬掩模；蚀刻所述硬掩模以形成暴露所述蚀刻停止层的硬掩模图案；使用所述硬掩模图案蚀刻所述蚀刻停止层、所述金属层和所述导电层，其中以部分保留所述导电层而不是完全去除所述导电层的方式来蚀刻所述导电层至一定厚度；在所述硬掩模图案上、和在所述已蚀刻的金属层的侧壁以及所述导电层的已蚀刻且暴露的部分的侧壁上形成覆盖层；和利用所述覆盖层来蚀刻所述覆盖层未覆盖的所述导电层的剩余部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||