半导体分析装置

摘要

本发明的课题是提供一种半导体分析装置，相对电子束量的变动，能够得到精度良好的测定值。本发明的半导体分析装置测定将电子束照射到半导体衬底上时在所述半导体衬底上感应出的衬底电流，包括：支撑半导体衬底的半导体衬底支撑单元、产生电子束的电子束产生单元、用于检测电子束照射量的电子束检测单元、测定在半导体衬底上感应出的衬底电流和由电子束检测单元检测出的电子束量的电流测定单元。

主权项

一种半导体分析装置，对半导体衬底照射电子束，测定由所述电子束在所述半导体衬底上感应出的衬底电流，输出用所述电子束的照射量归一化该衬底电流得到的值，其特征在于，该装置包括：半导体衬底支撑单元，支撑所述半导体衬底；电子束源，放出电子；电子束限制部件，具有用于选择性地使从所述电子束源放出的电子流的一部分通过的贯通孔，限制所述电子流的通过并形成照射到所述半导体衬底的电子束；屏蔽部件，与所述电子束限制部件电绝缘，除所述贯通孔和围着该贯通孔的所述电子束限制部件上的规定区域以外，屏蔽从所述电子束源放出的所述电子流；第一测定单元，测定在所述半导体衬底上感应出的衬底电流；和第二测定单元，测定在所述电子束限制部件上感应出的电流。