| 发明名称 | 形成接触孔的方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 形成接触孔的方法及半导体器件，其中形成接触孔的方法包括步骤：在衬底上形成金属硅化物层；使用含氮等离子体处理所述金属硅化物层，从而在所述金属硅化物层上形成刻蚀停止薄膜层；在所述刻蚀停止薄膜上形成堆栈层；刻蚀所述堆栈层至至少暴露刻蚀停止薄膜层，形成接触孔。与现有技术相比，本申请在形成金属硅化物层之后，用含氮的等离子体处理该金属硅化物层，使含氮等离子与金属硅化物反应生成一层刻蚀停止薄膜。在后续形成接触孔的过程中，刻蚀停止薄膜可以保护其下的金属硅化物层，使得金属硅化物层被免于过刻蚀或是减少过刻蚀量。 | ||
| 申请公布号 | CN101740470A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810202831.1 | 申请日期 | 2008.11.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 宋伟基;赵简 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种形成接触孔的方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上形成金属硅化物层；使用含氮等离子体处理所述金属硅化物层，从而在所述金属硅化物层上形成刻蚀停止薄膜层；在所述刻蚀停止薄膜上形成堆栈层；刻蚀所述堆栈层至至少暴露刻蚀停止薄膜层，形成接触孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||