| 发明名称 | 提取MOS晶体管应力效应模型参数的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提取MOS晶体管应力效应模型参数的方法，包括以下步骤：步骤一、设计MOS晶体管测试图形组，MOS晶体管测试图形组有一组或多组，其中至少有一组MOS晶体管测试图形沟道尺寸变化；步骤二、对上述测试图形组中的MOS晶体管进行测试，取得以上所有晶体管的测试数据，得到阈值电压和饱和电流与源有源区或漏有源区长度的关系曲线，根据数值优化以及曲线拟合，得到MOS晶体管有关应力效应的模型参数。采用该方法，可以方便地得到MOS晶体管有关应力效应的模型参数。 | ||
| 申请公布号 | CN101739469A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810043910.2 | 申请日期 | 2008.11.06 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 周天舒 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
| 主权项 | 一种提取MOS晶体管应力效应模型参数的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一.设计MOS晶体管测试图形组，MOS晶体管测试图形组有一组或多组，其中至少有一组MOS晶体管测试图形沟道尺寸变化；步骤二.对上述测试图形组中的MOS晶体管进行测试，取得以上所有晶体管的测试数据，得到阈值电压和饱和电流与源有源区或漏有源区长度的关系曲线，根据数值优化以及曲线拟合，得到MOS晶体管有关应力效应的模型参数。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||