发明名称 |
半导体激光器及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体激光器及其制造方法,在较大光输出范围及较大温度范围内可保持稳定的自激振荡。半导体激光器(100)具有:下部覆盖层(103),形成在半导体基板(101)上;活性层(105),形成在下部覆盖层上;第1上部覆盖层(107),形成在活性层上;第2上部覆盖层(109),形成在第1上部覆盖层上,具有台面构造;高次模式滤波层(111),在第2上部覆盖层的两个侧面上及从第2上部覆盖层的两个侧面开始在第2上部覆盖层的两侧区域的至少一部分上连续延伸,具有活性层的带隙以下的带隙;以及阻挡层(BLK),在包括高次模式滤波层的上方在内的第2上部覆盖层的两侧的区域上,含有带隙大于活性层的带隙的层(112)。 |
申请公布号 |
CN101741016A |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200910224549.8 |
申请日期 |
2009.11.17 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
小林正英 |
分类号 |
H01S5/343(2006.01)I;H01S5/068(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/343(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
孙志湧;李亚 |
主权项 |
一种半导体激光器,其特征在于,具有:半导体基板;下部覆盖层,形成在上述半导体基板上;活性层,形成在上述下部覆盖层上;第1上部覆盖层,形成在上述活性层上;第2上部覆盖层,形成在上述第1上部覆盖层上,具有台面构造;高次模式滤波层,在上述第2上部覆盖层的两个侧面上及从上述第2上部覆盖层的两个侧面开始在上述第2上部覆盖层的两侧区域的至少一部分上连续延伸,具有上述活性层的带隙以下的带隙;以及阻挡层,在包括上述高次模式滤波层的上方在内的上述第2上部覆盖层的两侧的区域上含有带隙大于上述活性层的带隙的层。 |
地址 |
日本神奈川 |