用于等离子体增强的化学气相沉积和斜边蚀刻的系统

摘要

本发明的实施例涉及一种整合基板边缘处理能力的基板处理系统。所述处理系统的实例包括但不限于一制造界面、一加载互锁真空室、一传送腔室以及一或多个双处理腔室，其中该双处理腔室具有两个或多个可彼此相互隔离，且共享同一气体供应件与同一排气泵的处理区域。在每一双处理腔室中的处理区域包含独立的气体分布组件与RF功率源，以在每一处理区域中基板表面上的选择区域提供等离子体。每一双处理腔室因而设置成能于处理区域中的至少两个基板上同时进行多个经隔离的处理。

主权项

一种处理多片基板的装置，包括：一加载互锁真空室；一传送腔室，耦合至该加载互锁真空室；以及一个或多个双处理腔室，耦合至该传送腔室，其中各双处理腔室限定两个独立的处理区域，且各处理区域包括：一基板支撑件，其具有基板支撑表面；一等离子体产生器，其经配置以将等离子相的蚀刻剂提供至该基板支撑表面的周边区域；以及一耦合至气体源的气体传送组件，其中该气体传送组件经配置以在该基板支撑表面上产生径向气流，其中该径向气流从该基板支撑表面的约中央区域流向该基板支撑表面的该周边区域。