| 发明名称 | 具有改进电特性的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有改进电特性的半导体器件及其制造方法，该方法包括：在硅半导体衬底上形成衬垫绝缘膜。蚀刻所述衬垫绝缘膜和所述衬底，以在所述衬底中形成沟槽。在所述沟槽的内壁上形成包含掺杂剂的薄层。所述掺杂剂可从所述薄层扩散至有源区。可将浅沟槽隔离(STI)氧化物填充至沟槽中。然后对STI氧化物的表面进行平坦化。沿着垂直方向通过热处理将掺杂剂均匀掺杂至STI侧壁的有源区边缘，以防止驼峰现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101127297B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200710141649.5 | 申请日期 | 2007.08.17 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金钟玟 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在硅半导体衬底上形成衬垫绝缘膜；蚀刻所述衬垫绝缘膜和所述衬底，以在所述衬底中形成沟槽；和在所述沟槽的内壁上形成包含掺杂剂的薄层，并通过热处理使所述掺杂剂从所述薄层扩散至有源区。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||