| 发明名称 | 二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，该存储器包括：一上导电电极；一下导电电极；一位于该上导电电极与下导电电极之间的二元过渡族金属氧化物薄膜，该二元过渡族金属氧化物薄膜中注入有离子。本发明在二元过渡族金属氧化物中注入离子，可以极大地提高器件的产率，增加器件高、低阻态之间的比值，减小各个器件之间电阻转变特性的离散值。本发明的存储器器件具有结构简单，易集成，成本低，与传统的硅平面CMOS工艺兼容等优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101471421B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200710304220.3 | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘琦;刘明;龙世兵;贾锐;管伟华 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，其特征在于，该存储器包括：一上导电电极；一下导电电极；一位于该上导电电极与下导电电极之间的二元过渡族金属氧化物薄膜，该二元过渡族金属氧化物薄膜中注入有离子，该离子注入的浓度为1E8cm-2至1E15cm-2，且该二元过渡族金属氧化物薄膜的厚度为20至200nm。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||