半导体基板的金属线再蚀刻方法

摘要

本发明涉及一种半导体基板的金属线再蚀刻方法，此半导体基板位于一反应室中，此半导体基板包括有一金属层以及位于此金属层之上的一光阻层，此光阻层经过曝光显影，且此光阻层与此金属层经过一蚀刻步骤而中断，此反应室中还包括一等离子体反应器，此方法包括：在此反应室中通入一第一混合气体，以一第一时间进行一气体稳定步骤；将此等离子体反应器激活一第二时间以进行一钝化步骤；以及在此反应室中通入一第二混合气体，并进行再蚀刻。

主权项

一种半导体基板的金属线再蚀刻方法，该半导体基板位于一反应室中，该半导体基板包括有一金属层以及位于该金属层之上的一光阻层，该光阻层经过曝光显影，且该光阻层与该金属层经过一蚀刻步骤，并且该蚀刻步骤中断，该反应室中还包括一等离子体反应器，该方法包括：在该反应室中通入一第一混合气体，以一第一时间进行一气体稳定步骤；将该等离子体反应器激活一第二时间以进行一钝化步骤；以及在该反应室中通入一第二混合气体，并进行再蚀刻，其中，该第一混合气体包括氯气与三氟甲烷，该第一混合气体中的该氯气与该三氟甲烷的流量比为6～10∶1。