图像传感器及其制造方法

摘要

图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：第一外延层，形成在半导体衬底上；多个第一光电二极管，间隔地形成在所述第一外延层内；第一隔离区域，将所述多个第一光电二极管彼此电隔离；第二外延层，形成在所述第一外延层上；多个第二光电二极管，间隔地形成在所述第二外延层内；以及第二隔离区域，将所述多个第二光电二极管彼此电隔离，其中所述第一外延层包括在其最上表面上形成的第一对准标记，所述第二外延层包括在其最上表面上形成的第二对准标记，所述第一对准标记和所述第二对准标记是通过在所述第一外延层和所述第二外延层中分别形成沟槽而制备的。

主权项

一种图像传感器的制造方法，包括步骤：在半导体衬底上形成外延层；在所述外延层中形成多个光电二极管；在所述外延层上形成掩模图案，其中所述掩模图案包括第一开口和第二开口，所述第一开口设置在所述外延层的第一区域上并与所述外延层的第一区域相对应，所述第二开口位于所述多个光电二极管之间，且设置在所述外延层的第二区域上并与所述外延层的第二区域相对应；以及随后通过在所述外延层中形成沟槽而同时在所述第一区域中形成对准标记以及在所述第二区域中形成隔离区域。