一种多阻态电阻随机存储器单元及其制备方法

摘要

本发明公开了一种多阻态电阻随机存储器单元及其制备方法，属于微电子技术领域。该存储单元包括衬底和金属-绝缘层-金属(MIM)结构单元，MIM结构单元的电极之一为铜，另一电极为铝等可用于互连工艺中的金属薄膜，阻变绝缘层为低介电常数SiOCH介质薄膜。本发明中的MIM结构，在直流电压连续扫描激励下，表现出优异的多电阻态(高、低以及中间电阻态)之间的转变和记忆特性，该性能能够实现单元器件的多级存储。这种存储器不仅大大提高存储集成密度，而且与后端工艺有良好的集成特性。本发明还进一步提供了上述存储单元在铜互连工艺中的集成制备方法。

主权项

一种多阻态电阻随机存储器单元，其特征在于具有衬底和金属-绝缘层-金属结构，该结构单元中底层金属为铜，作为底电极，顶金属层为Al、TaN、TiN或Ru金属薄膜，作为顶电极，中间绝缘层为低介电常数SiOCH介质薄膜，作为阻变介质层；该介质薄膜厚度为0.5-5微米。