| 发明名称 | 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层；刻蚀氮化铟盖帽层；制备源、漏欧姆接触；制备栅金属；电极金属加厚。利用本发明，降低了制备成本，简化了制备工艺，提高了工艺的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101740384A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810226288.9 | 申请日期 | 2008.11.12 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王晓亮;张明兰;肖红领;王梅;唐健;冯春;姜丽娟 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层；刻蚀氮化铟盖帽层；制备源、漏欧姆接触；制备栅金属；电极金属加厚。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||