| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种能够容易地制造如下半导体装置的方法，该半导体装置在设置晶体管或布线的部位不形成由相对介电常数是10以上的high-k材料构成的MIM电容器的高介电常数膜。本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体衬底上形成下电极的工序；在上述下电极上涂覆光抗蚀剂的工序；与上述下电极的外周部相比在侧在上述光抗蚀剂形成开口部的工序；成膜由相对介电常数为10以上的high-k材料构成的高介电常数膜的工序；以与上述下电极的外周部相比在侧残留高介电常数膜的方式，进行剥离的工序；以及在通过上述剥离而残留的上述高介电常数膜上形成上电极的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101740356A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200910161894.1 | 申请日期 | 2009.08.07 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 户塚正裕 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在半导体衬底上形成下电极的工序；在上述下电极上涂覆光抗蚀剂的工序；与上述下电极的外周部相比在中央侧在上述光抗蚀剂形成开口部的工序；在上述开口部内以及光抗蚀剂上成膜由相对介电常数为10以上的high-k材料构成的高介电常数膜的工序；以高介电常数膜在与上述下电极的外周部相比在中央侧残留的方式，进行除去上述光抗蚀剂以及上述光抗蚀剂上的上述高介电常数膜的剥离的工序；以及在通过上述剥离而残留的上述高介电常数膜上形成上电极的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||