| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体装置的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体装置。公开的半导体装置在晶体管的沟道形成区域中包括In-Ga-Zn-O基氧化物半导体层。在所述半导体装置中，In-Ga-Zn-O基氧化物半导体层具有如下结构：在由InGaO3(ZnO)m(m＞0)表示的非晶结构中包含由InGaO3(ZnO)m(m＝1)表示的晶粒。 | ||
| 申请公布号 | CN101740637A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200910226491.0 | 申请日期 | 2009.11.20 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 秋元健吾;坂田淳一郎;广桥拓也;高桥正弘;岸田英幸;宫永昭治 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：包含沟道形成区域的晶体管，其中沟道形成区域包括In-Ga-Zn-O基氧化物半导体层，并且其中In-Ga-Zn-O基氧化物半导体层具有在包括In、Ga、Zn和O的非晶结构中包含由InGaZnO4表示的晶粒的结构。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||