| 发明名称 | LDMOS晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种LDMOS晶体管及其制造方法。横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括：第一介电层，形成在衬底的上表面的正面区域上；多个第二介电层，多层层叠在第一介电层的上表面的正面区域上；多个接触插塞，在有源区中以预定的距离彼此隔开，并穿过第一和第二介电层；以及桥接金属线，形成在第二介电层中，在水平方向上内部连接隔开的接触插塞。形成桥接金属线以与接触插塞交叉的形式来内部连接接触插塞。结果，在与传统的晶体管相同的尺寸中可以流过更多的电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101740626A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200910224012.1 | 申请日期 | 2009.11.17 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 赵哲晧 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人 | 宋子良;李占平 |
| 主权项 | 一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，包括：第一介电层，形成在衬底的上表面的正面区域上；多个第二介电层，多层层叠在所述第一介电层的上表面的正面区域上；多个接触插塞，在有源区中以预定的距离彼此隔开，并穿过所述第一和所述第二介电层；以及桥接金属线，形成在所述第二介电层中，在水平方向上内部连接隔开的所述接触插塞。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||