| 发明名称 | 防反射膜形成用组合物及使用其的配线形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种防反射膜形成用材料，其能加大抗蚀图案和防反射膜的蚀刻率之差。该防反射膜形成用组合物包含(A)含有光吸收化合物基团的硅氧烷聚合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101010635B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200580029662.0 | 申请日期 | 2005.08.31 |
| 申请人 | 东京应化工业株式会社 | 发明人 | 田中健;坂本好谦;高滨昌 |
| 分类号 | G03F7/11(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;C08L83/04(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种防反射膜形成用组合物，其中，包含(A)含有光吸收化合物基团的硅氧烷聚合物、以及(B)没有光吸收化合物基团的硅氧烷聚合物，所述(A)含有光吸收化合物基团的硅氧烷聚合物与所述(B)没有光吸收化合物基团的硅氧烷聚合物的混合比例以质量比计为90∶10-10∶90，所述(A)成分具有下述式(a)表示的结构单元和下述式(b)表示的结构单元，【化1】<img file="F2005800296620C00011.GIF" wi="610" he="436" />【化2】<img file="F2005800296620C00012.GIF" wi="689" he="444" />所述(B)硅氧烷聚合物是使选自下述通式(I)表示的硅烷化合物的至少一种水解反应得到的反应产物，R<sub>4-n</sub>Si(OR’)<sub>n</sub> ……(1)式中，R表示氢原子或烷基，R’表示烷基，n表示2～4的整数。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||