半导体集成电路器件和高频功率放大器模块

摘要

在SPDT开关中，用于泄漏通路的电阻器被连接在用于天线的端子与基准电位之间。用于泄漏通路的电阻器允许被设置为连接到发送信号端子和接收信号端子的DC截止电容器的静态电容器单元中累积的电荷电容被释放，并允许在用于天线的端子处电位的快速下降。在SPDT开关中，开关特性被改进，并且在高功率隙之后到来的低功率隙的上升缘延迟被减小。

主权项

一种在移动通信装置中使用的半导体集成电路器件，所述半导体集成电路器件包括：耦合到天线的第一端子；耦合到信号处理电路的第二端子；布置在所述第一与第二端子之间、用于开关所述第一与第二端子之间的连接的开关晶体管；第三端子，其耦合到用于产生用于所述开关晶体管的控制信号的控制电路；升压电路，其在控制信号经由所述第三端子被输入时锁存经由所述开关晶体管输出的发送信号，产生比控制信号的电压电平更高的升压电压，并将升压电压施加给所述开关晶体管的控制端子；以及连接在所述第一端子与基准电位之间的用于泄漏通路的电阻器，其用于释放在作为分别连接到所述第一到第三端子的直流截止电容器的静电电容器单元中累积的电荷电容。