晶体管及其形成方法

摘要

公开了一种晶体管及其形成方法。该晶体管包括：在半导体衬底中所形成的凹槽；在凹槽的内侧壁中所形成的一对第一侧壁间隔物，伸出在衬底之上；在第一侧壁间隔物之间所形成的栅电极；在栅电极和衬底之间所插入的栅绝缘层；以及在凹槽旁的衬底中所形成的栅和漏区。

主权项

一种用于形成晶体管的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成掩模层，所述掩模层包括开口；使用所述掩模层作为蚀刻掩模，通过将所述衬底蚀刻到预定深度来形成凹槽；通过共形沉积以及蚀刻到与所述凹槽的深度相对应的深度，在所述掩模层和所述凹槽的内侧壁上形成一对侧壁间隔物，其可以防止低浓度扩散区与栅电极重叠；在所述凹槽的内侧壁上的侧壁间隔物之间暴露的衬底的表面上形成栅绝缘层；在所述第一侧壁间隔物之间的所述栅绝缘层上形成所述栅电极；去除所述掩模层；以及通过在所述第一侧壁间隔物旁的所述衬底中进行注入而形成所述低浓度扩散区；在所述第一侧壁间隔物的外壁上形成第二侧壁间隔物；沿着所述第二侧壁间隔物在所述衬底中形成高浓度扩散区；去除所述第二侧壁间隔物；以及在所述低浓度扩散区、所述高浓度扩散区以及所述栅电极上形成硅化物层。