与半导体功率器件集成的多级静电放电保护电路的优化布图结构

摘要

本发明涉及一个在半导体衬底上支持的半导体功率器件，其包括多个晶体管单元，每一个晶体管单元都具有源极和漏极以及控制源极和漏极之间传输电流的栅极。该半导体还包括连接到源区的源极金属层，和构造为围绕衬底的外围区域的连接到栅极区的金属带的栅极金属层，其中，栅极金属层和栅极区通过金属间隙与源极金属层分离。该半导体功率器件还包括ESD保护电路，该ESD保护电路包括构成ESD二极管的多个相反导电性的掺杂介电区域，该ESD二极管横跨金属间隙延伸并在衬底的外围区域上连接在栅极金属层和源极金属层之间。

主权项

一种在半导体衬底上支持的半导体功率器件，其特征在于，该半导体功率器件包括多个晶体管单元，每一个晶体管单元都具有源极和漏极以及控制源极和漏极之间传输的电流的栅极，其中所述半导体功率器件还包括：连接到所述源极的源极金属层，和构造为围绕所述衬底的外围区域的连接到栅极区的栅极金属层，其中所述栅极金属层和所述栅极区通过金属间隙与所述源极金属层分离；和ESD保护电路，该ESD保护电路包括构成齐纳二极管的多个相反导电类型的交替的掺杂介电区域，该齐纳二极管横跨所述金属间隙延伸并在所述衬底的所述外围区域上连接在所述栅极金属层和所述源极金属层之间；所述的ESD保护电路还包括沿所述栅极区的边缘设置的作为所述ESD保护电路的第一级的第一组齐纳二极管，所述ESD保护电路还包括在远离所述栅极区的外围区域设置的作为所述ESD保护电路的第二级的第二组齐纳晶体管；其中设置在所述栅极区边缘的ESD保护电路的第一级具有比设置在远离所述栅极区的外围区域的ESD保护电路的第二级更高的击穿电压。