电容器及该电容器之制造方法

摘要

本发明系提供一种形成诱电体层于表面之导电体做为一方电极，半导体层做为另一方电极之制造电容器方法中，制作电气性微小缺陷部份于该诱电体层后，藉由通电手法使该半导体层形成于诱电体层上之电容器制造方法。藉由本发明之制造方法所取得之电容器其容量出现率为良好者、低ESR、良好信赖性者。

主权项

一种电容器之制造方法，其特征系表面形成诱电体层之导电体做为一方电极，半导体层做为另一方电极之电容器制造方法中，该诱电体层之电气性微小缺陷部份制成导电体表面积之泄电流值为500μA/m2以下者后，藉由通电方法于诱电体层上形成该半导体层者。