| 发明名称 |
产生用于半导体处理系统之前驱物的设备及方法 |
| 摘要 |
本发明的实施例系有关于一种用来产生一用于半导体处理系统中之前驱物的设备。该设备包括一罐子其具有一侧壁，一顶部及一底部。该罐子界定出一具有一上区及一下区的内部空间。该设备进一步包括一围绕在该罐子周围的加热器。该加热器在该上区与下区之间产生一温度梯度。 |
| 申请公布号 |
TWI326104 |
申请公布日期 |
2010.06.11 |
| 申请号 |
TW093114980 |
申请日期 |
2004.05.26 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
陈岭;古文忠;仲华;马可达克里斯多夫;甘古利沙谢德;林珍妮;吴典晔;奥义艾伦;张镁 |
| 分类号 |
H01L21/00;B01J10/02 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
一种填充在一基材上的一或多个特征结构(feature)的方法，包含：沉积一阻障层于该基材上，该阻障层是由杂质含量小于约5 ppm的纯化之伍(二甲醯胺基)钽(pentakis (dimethylamido)tantalum)所形成；沉积一种晶层于该阻障层上方；及沉积一导电层于该种晶层上方。 |
| 地址 |
美国 |
