发明名称 使用互补性金属氧化物半导体技术的天线系统
摘要 本发明系描述用于一具有一包括一辐射元件的第一金属层及一包括一耦合至辐射元件之第一导体的第二金属层之互补金属氧化物半导体(CMOS)积体电路部件之装置、系统、及方法。第一导体及辐射元件系相互耦合以形成一天线来无线地通信一信号。
申请公布号 TWI326135 申请公布日期 2010.06.11
申请号 TW095110996 申请日期 2006.03.29
申请人 英特尔公司 发明人 堤斯利 凯斯;苏成耀
分类号 H01Q1/22 主分类号 H01Q1/22
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项 一种无线通信装置,包含:一互补性金属氧化物半导体(CMOS)积体电路部件,其具有一第一金属层,其包含一辐射元件;及一第二金属层,其包含一被耦合至该辐射元件之第一导体;其中该第一导体及该辐射元件相互耦合以形成一天线来无线地通信一信号;及其中该辐射元件系由该CMOS积体电路部件之一顶部金属层上的凸起金属所形成。
地址 美国