发明名称 | 钌层在图案化基板上之阶梯覆盖率的控制方法 | ||
摘要 | 一种积体电路之Ru(钌)层的形成方法,包含下列步骤:将图案化之基板提供至处理室;及将该基板暴露至包含羰基钌前驱物及CO气体之处理气体,以在该图案化基板之特征部上形成Ru层。在一实施例中,在暴露期间改变该处理室中之CO分压,以控制该特征部上之该Ru层的阶梯覆盖率。在另一实施例中,在暴露期间改变基板温度,以控制阶梯覆盖率。 | ||
申请公布号 | TWI326115 | 申请公布日期 | 2010.06.11 |
申请号 | TW095134801 | 申请日期 | 2006.09.20 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 铃木健二 |
分类号 | H01L21/3205;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/3205 |
代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
主权项 | 一种积体电路之金属层的形成方法,包含下列步骤:一基板提供步骤,将图案化之基板提供至处理室;及一Ru层形成步骤,将该基板暴露至包含羰基钌前驱物及CO气体之处理气体,以在该图案化基板之特征部上形成Ru层,其中在暴露期间改变该处理室中之CO分压以控制该特征部上之该Ru层的阶梯覆盖率,该暴露包含:当在该处理室中维持第一CO分压时将第一Ru子层沈积至该特征部上,该第一Ru子层具有第一阶梯覆盖率;及当在该处理室中维持不同于该第一CO分压之第二CO分压时,将第二Ru子层沈积至该特征部上,该第二Ru子层具有不同于该第一阶梯覆盖率的第二阶梯覆盖率。 | ||
地址 | 日本 |