| 主权项 |
一种根据丘克拉斯基法之用于成长单晶锭之拉晶器，该拉晶器包括：一机壳；一位于该机壳内的坩埚，用以容纳半导体材料源熔化物，该熔化物具有一上表面；一与坩埚相邻之侧加热器，用于加热该坩埚；一拉出机制，用于从该熔化物之上表面中朝上拉出一成长晶锭，于成长该晶锭期间，该熔化物之上表面的一部份会维持裸露，并且具有一面积；一环状熔化物热交换器，其大小和形状可包围该晶锭，并且系位于该熔化物之裸露上表面旁边，该热交换器包括一热源，其位置系面向该熔化物之裸露上表面部份，该热交换器具有一辐射区域，其可用于将热辐射至该熔化物之裸露上表面部份之面积之至少30%大小的熔化物上，用以控制该熔化物上表面处的热传输，该熔化物热交换器系被调适成用以减少该裸露上表面部份处的热损失；以及一晶体热交换器，其大小和形状可置放于该熔化物之上，并且实质包围该晶锭，用以冷却靠近一熔化物/晶体介面的成长晶锭的第一部份。 |
