发明名称 奈米级放电加工装置
摘要 本创作系提供一种奈米级放电加工装置,其包含座体;容置部设于座体以容置介电液及容置导电工件沉浸于介电液;位移驱动部;原子力扫瞄部设于位移驱动部,原子力扫瞄部具有光束产生单元、动作驱动单元、导电探针、反射镜及光检测单元,导电探针设于动作驱动单元,并用以加工导电工件,光束产生单元产生光束入射至导电探针,再藉由反射镜反射至光检测单元;控制部电连接光检测单元及位移驱动部;供电部负极电连接导电探针,正极电连接导电工件。藉此,本创作之奈米级放电加工装置可具有奈米等级之加工精密度,以适用于奈米级物件的加工。
申请公布号 TWM382169 申请公布日期 2010.06.11
申请号 TW099202447 申请日期 2010.02.05
申请人 东南科技大学 发明人 黄仁清;王瑞扬;陈宗民;卓君杰;廖沂嘉
分类号 B23H1/02 主分类号 B23H1/02
代理机构 代理人 赖安国;李政宪;王立成
主权项 一种奈米级放电加工装置,其包含:一座体;一容置部,其设于该座体,该容置部容置一介电液,并用以容置一导电工件沉浸于该介电液;一位移驱动部;一原子力扫瞄部,其设于该位移驱动部,该原子力扫瞄部具有一光束产生单元、一动作驱动单元、一导电探针、一反射镜及一光检测单元,该导电探针设于该动作驱动单元,并用以加工该导电工件,该光束产生单元产生光束入射至该导电探针,再藉由该反射镜反射至该光检测单元;一控制部,其电连接该光检测单元及该位移驱动部;以及一供电部,其负极电连接该导电探针,正极电连接该导电工件。
地址 台北县深坑乡北深路3段152号