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发明名称 METHOD OF FORMING A PHASE CHANGEABLE MATERIAL LAYER, AND METHODS OF MANUFACTURING A PHASE CHANGEABLE MEMORY UNIT AND A PHASE CHANGEABLE MEMORY DEVICE USING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100962623(B1) 申请公布日期 2010.06.11
申请号 KR20050081965 申请日期 2005.09.03
申请人 发明人
分类号 H01L21/205;H01L21/8247 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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