Verfahren zur Herstellung einer Gateelektrodenstruktur mit Erhöhung der Integrität eines Gatestapels mit großem epsilon durch Schützen einer Beschichtung an der Gateunterseite während des Freilegens der Gateoberseite

摘要

Aufwendige Gatestapel mit einem dielektrischen Material mit großem epsilon und einem metallenthaltenden Elektrodenmaterial werden durch eine Schutzschicht, etwa eine Siliziumnitridschicht, bedeckt, die während der gesamten Fertigungssequenz an der Unterseite der Gatestapel beibehalten wird. Zu diesem Zweck wird ein Maskenmaterial vor dem Entfernen von Deckmaterialien an der Abstandshalterschicht aufgebracht, die zum Einkapseln der Gatestapel während des selektiven epitaktischen Aufwachsens einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung verwendet werden. Folglich kann eine bessere Integrität über die gesamte Fertigungssequenz hinweg beibehalten werden, während gleichzeitig ein oder mehrere Lithographieprozesse vermieden werden.