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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Oberflächentopografie eines beschichteten Objektes und zur gleichzeitigen ortsaufgelösten Bestimmung der Dicke der Schicht auf dem beschichteten Objekt. Dabei ist vorgesehen, dass die Oberflächentopografie mittels Weißlichtinterferometrie gemessen wird, dass die Dicke der Schicht nach dem Prinzip der Reflektometrie gemessen wird und dass für beide Messungen eine gemeinsame Strahlungsquelle mit einem elektromagnetischen Strahlungsspektrum verwendet wird, welches in einem in dem Strahlungsspektrum enthaltenen ersten Wellenlängenbereich von der Schichtoberfläche reflektiert wird und welches in einem in dem Strahlungsspektrum enthaltenen zweiten Wellenlängenbereich in die Schicht eindringt. Die Erfindung betrifft weiterhin ein entsprechendes optisches Messgerät. Verfahren und optisches Messgerät ermöglichen die gleichzeitige flächige und hochgenaue Messung der Oberflächentopografie und der Schichtdicke von beschichteten Objekten.
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