发明名称 |
Verfahren und System für eine fortschrittliche Prozesssteuerung in einem Ätzsystem durch Gasflusssteuerung auf der Grundlage von CD-Messungen |
摘要 |
By controlling the flow rate of one or more gaseous components of an etch ambient during the formation of metal lines and vias on the basis of feedback measurement data from critical dimensions, process variations may be reduced, thereby enhancing performance and reliability of the respective metallization structure. |
申请公布号 |
DE102006004430(B4) |
申请公布日期 |
2010.06.10 |
申请号 |
DE20061004430 |
申请日期 |
2006.01.31 |
申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES INC. |
发明人 |
SCHALLER, MATTHIAS;SCHULZE, UWE;BARANYAI, MATTHIAS |
分类号 |
H01L21/306;H01L21/311 |
主分类号 |
H01L21/306 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|