发明名称 |
形成高压元件深阱的方法 |
摘要 |
本发明提供一种形成高压元件深阱的方法,该方法包括:提供一基底,该基底上具有一第一牺牲层;形成一第一图案化遮蔽层于该牺牲层上,并露出一第一开口区;对该第一开口区进行第一离子掺杂,以形成一第一次掺杂区;移除该第一图案化遮蔽层与该第一牺牲层;形成一外延层于该基底上;形成一第二牺牲层于该外延层上;形成一第二图案化遮蔽层于该牺牲层上,并露出第二开口区;对该第二开口区进行第二离子掺杂,以形成一第二次掺杂区;移除该第二图案化遮蔽层;执行一回火步骤,使该第一掺杂区与该第二掺杂区扩散成一深阱;以及移除该第二牺牲层。本发明可缩短阱扩散的时间、减少阱扩散的热预算,可将其他需要外延工艺的高压元件的整合简化。 |
申请公布号 |
CN101728246A |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200810169633.X |
申请日期 |
2008.10.13 |
申请人 |
世界先进积体电路股份有限公司 |
发明人 |
杜尚晖;蔡宏圣;张睿钧 |
分类号 |
H01L21/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
一种形成高压元件深阱的方法,其特征在于,所述的方法包括:提供一基底,所述基底上具有一第一牺牲层;形成一第一图案化遮蔽层于所述牺牲层上,并露出一第一开口区;对所述第一开口区进行第一离子掺杂,以形成一第一次掺杂区;移除所述第一图案化遮蔽层与所述第一牺牲层;形成一外延层于所述基底上;形成一第二牺牲层于所述外延层上;形成一第二图案化遮蔽层于所述第二牺牲层上,并露出第二开口区;对所述第二开口区进行第二离子掺杂,以形成一第二次掺杂区;移除所述第二图案化遮蔽层;执行一回火步骤,使所述第一掺杂区与所述第二掺杂区扩散成一深阱;以及移除所述第二牺牲层。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |