| 发明名称 | 一种太阳能级多晶硅材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 太阳能级多晶硅材料的制备方法，该方法包括在熔盐中电解含硅材料，其中，以纯度大于或等于99.9999％的多晶硅材料为阴极，以惰性材料为阳极；所述含硅材料为含硅和金属的材料，其中，硅比金属更容易在阳极失去电子被氧化成阳离子，含硅材料的熔点不大于电解温度；电解温度为700-1200℃。采用本发明的方法制得的太阳能级多晶硅材料的纯度较高。 | ||
| 申请公布号 | CN101724898A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200810167817.2 | 申请日期 | 2008.10.10 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 刘占果;周勇;刘军锋 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B30/02(2006.01)I;C25B1/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 王崇;王凤桐 |
| 主权项 | 一种太阳能级多晶硅材料的制备方法，该方法包括在熔盐中电解含硅材料，其特征在于，以纯度大于或等于99.9999％的多晶硅材料为阴极，以惰性导电材料为阳极；所述含硅材料为含硅和金属的材料，其中，硅比金属更容易在阳极失去电子被氧化成阳离子，含硅材料的熔点不大于电解温度；电解温度为700-1200℃。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳龙岗区坪山镇横坪公路3001号 | ||