| 发明名称 | 制造低k介电膜的方法及使用低k介电膜的气隙的形成 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种制造介电膜的方法以及一种使用制造的低k介电膜形成气隙的方法。制造低k介电膜的方法包括：将TMS和3、3-二甲基-1-丁烯导入到等离子体沉积反应器中，利用反应器中产生的等离子体来聚合TMS和3、3-二甲基-1-丁烯，从而在置于反应器中的衬底上沉积绝缘膜，以及使沉积的绝缘膜同时遭受热处理和ICP工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101728261A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910180452.1 | 申请日期 | 2009.10.15 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 梁宰瑛 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人 | 宋子良;阮伟 |
| 主权项 | 一种制造介电膜的方法，包括：将三甲基硅烷(TMS)和3、3-二甲基-1-丁烯导入到等离子体沉积反应器中；利用在所述反应器中产生的等离子体来聚合TMS和3、3-二甲基-1-丁烯，以便在置于所述反应器中的衬底上沉积绝缘膜；以及使所述沉积的绝缘膜同时遭受热处理和电感耦合等离子体(ICP)工艺。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||