| 发明名称 | 氧化物半导体、薄膜晶体管以及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氧化物半导体、薄膜晶体管以及显示装置。一个目的是控制氧化物半导体的组分和缺陷。另一目的是增加薄膜晶体管的场效应迁移率以及获得足够的通断比并抑制关断电流。该氧化物半导体由InMO3(ZnO)n表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al中的一种或多种元素，以及n是大于或等于1且小于50的非整数)，并且还包含氢。在此情况下，Zn的浓度低于In和M的浓度(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al中的一种或多种元素)。此外，该氧化物半导体具有非晶结构。这里，n优选是大于或等于1且小于50的非整数，更优选小于10。 | ||
| 申请公布号 | CN101728425A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910207023.9 | 申请日期 | 2009.10.23 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;佐佐木俊成;细羽幸;伊藤俊一;坂田淳一郎 |
| 分类号 | H01L29/24(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种氧化物半导体，包括：作为成分的In、Ga和Zn，其中该氧化物半导体还包含氢。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||