| 发明名称 | 在蚀刻高纵横比结构中降低微负载的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种在导电层中蚀刻不同纵横比的特征的方法。该方法包括：利用依赖纵横比的沉积在该导电层上方沉积；利用对该导电层的依赖纵横比的蚀刻将特征蚀刻进该导电层；以及至少重复一次该沉积和该蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN101730930A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200880018762.7 | 申请日期 | 2008.06.02 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 符谦;刘身健;李源哲;布赖恩·普 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人 | 樊英如 |
| 主权项 | 一种在导电层中蚀刻不同纵横比的特征的方法，包括利用依赖纵横比的沉积在该导电层上方沉积；利用对该导电层的依赖纵横比的蚀刻将特征蚀刻进该导电层；以及至少重复一次该沉积和该蚀刻。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||