| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。 | ||
| 申请公布号 | CN101728329A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910206176.1 | 申请日期 | 2009.10.21 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 玄尚镇;崔时荣;申裕均;徐康一;赵学柱;罗勋奏;李晓山;朴全雄;李惠兰;洪炯硕 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李佳;穆德骏 |
| 主权项 | 一种形成集成电路器件的方法，包括：在衬底上形成金属氧化物层，所述金属氧化物层包括第一金属氧化物和不同的第二金属氧化物；在所述金属氧化物层上形成牺牲氧化物层，在处于从约600℃至约1100℃范围中的第一温度下，所述牺牲氧化物层所具有的吉布斯生成自由能大于所述金属氧化物层中所述第一和第二金属氧化物的吉布斯生成自由能；和在所述第一温度下使所述金属氧化物层和所述牺牲氧化物层退火，所述退火持续足以将所述金属氧化物层中至少一部分所述第一金属氧化物转换为组合金属氧化物层的持续时间，所述组合金属氧化物层包括所述第一氧化物和第二氧化物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||